货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.966203 | ¥5898.61 |
6000 | ¥1.862738 | ¥11176.43 |
9000 | ¥1.72476 | ¥15522.84 |
30000 | ¥1.707647 | ¥51229.41 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 4.4 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 122 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns, 26 ns
正向跨导(Min) 82 S
上升时间 12 ns, 40 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns, 85 ns
典型接通延迟时间 13 ns, 41 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7621DN-T1-GE3
单位重量 1 g
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0SI7615ADN-T1-GE3
型号:SI7615ADN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.966203 |
6000+: | ¥1.862738 |
9000+: | ¥1.72476 |
30000+: | ¥1.707647 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00