
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥17.123378 | ¥17.12 |
| 10 | ¥10.713477 | ¥107.13 |
| 100 | ¥7.028161 | ¥702.82 |
| 500 | ¥5.44372 | ¥2721.86 |
| 1000 | ¥4.933504 | ¥4933.50 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 4.4 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 122 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns, 26 ns
正向跨导(Min) 82 S
上升时间 12 ns, 40 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns, 85 ns
典型接通延迟时间 13 ns, 41 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7621DN-T1-GE3
单位重量 1 g
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0SI7615ADN-T1-GE3
型号:SI7615ADN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥17.123378 |
| 10+: | ¥10.713477 |
| 100+: | ¥7.028161 |
| 500+: | ¥5.44372 |
| 1000+: | ¥4.933504 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥17.12