CSD19506KTT
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- 制造商编号：
- CSD19506KTT
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 500 | ￥18.140543 | ￥9070.27 |
| 1000 | ￥15.299288 | ￥15299.29 |
| 2500 | ￥14.534332 | ￥36335.83 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 150 A
漏源电阻 2.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 120 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导（Min） 297 S
湿度敏感性 Yes
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 14 ns
外形参数
高度 4.7 mm
长度 9.25 mm
宽度 10.26
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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注
CSD19506KTT品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、CSD19506KTT
数据手册PDF
。
CSD19506KTT
型号：CSD19506KTT
品牌：TI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 500+： | ￥18.140543 |
| 1000+： | ￥15.299288 |
| 2500+： | ￥14.534332 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00