SHN1B01FDW1T1G
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起订量：9000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 9000 | ￥0.641772 | ￥5775.95 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN, PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 50 V, - 50 V
集电极—基极电压 60 V, - 60 V
发射极 - 基极电压 7 V, - 7 V
饱和电压 250 mV, - 300 mV
最大直流电集电极电流 200 mA, - 200 mA
耗散功率 380 mW
增益带宽产品 -
集电极连续电流 200 mA
直流集电极 - 200, 200
直流电流增益（Max） - 400, 400
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 13.430 mg
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注
SHN1B01FDW1T1G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极晶体管预偏置
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替代型号
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数据手册PDF。
SHN1B01FDW1T1G
型号：SHN1B01FDW1T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 9000+： | ￥0.641772 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00