CSD18510KTT
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- 制造商编号：
- CSD18510KTT
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- GEN1.4 40V-20V
- 渠道：
- digikey
库存 ：402
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥28.909927 | ￥28.91 |
| 10 | ￥25.961114 | ￥259.61 |
| 100 | ￥20.871811 | ￥2087.18 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 200 A
漏源电阻 2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 153 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导（Min） 330 S
湿度敏感性 Yes
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 29 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 19.7 mm
长度 9.25 mm
宽度 10.26 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.200 g
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注
CSD18510KTT品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、CSD18510KTT
数据手册PDF
。
CSD18510KTT
型号：CSD18510KTT
品牌：TI
供货：锐单
库存：402 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥28.909927 |
| 10+： | ￥25.961114 |
| 100+： | ￥20.871811 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥28.91