
货期:国内(1~3工作日)
起订量:4000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 4000 | ¥1.196052 | ¥4784.21 |
| 8000 | ¥1.125307 | ¥9002.46 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 29 A
漏源电阻 17.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.35 V
栅极电荷 5.4 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.6 ns
正向跨导(Min) 17 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 9.9 ns
典型接通延迟时间 9 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRFH3707TRPBF SP001551876
单位重量 122.136 mg
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0IRFH3707TRPBF
型号:IRFH3707TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 4000+: | ¥1.196052 |
| 8000+: | ¥1.125307 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00