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起订量:5000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
5000 | ¥2.478913 | ¥12394.57 |
10000 | ¥2.364437 | ¥23644.37 |
25000 | ¥2.359902 | ¥58997.55 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 6.5 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 3.1 V
栅极电荷 57.5 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 30 S
上升时间 46 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 1.1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ086P03NS3 G SP000473024
单位重量 38.760 mg
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0BSZ086P03NS3GATMA1
型号:BSZ086P03NS3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
5000+: | ¥2.478913 |
10000+: | ¥2.364437 |
25000+: | ¥2.359902 |
货期:1-2天
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