货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥10.87036 | ¥10.87 |
10 | ¥8.898528 | ¥88.99 |
100 | ¥6.919111 | ¥691.91 |
500 | ¥5.865191 | ¥2932.60 |
1000 | ¥4.777776 | ¥4777.78 |
2000 | ¥4.497674 | ¥8995.35 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 6.5 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 3.1 V
栅极电荷 57.5 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 30 S
上升时间 46 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 1.1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ086P03NS3 G SP000473024
单位重量 38.760 mg
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0BSZ086P03NS3GATMA1
型号:BSZ086P03NS3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.87036 |
10+: | ¥8.898528 |
100+: | ¥6.919111 |
500+: | ¥5.865191 |
1000+: | ¥4.777776 |
2000+: | ¥4.497674 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.87