
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.143613 | ¥8.14 |
| 10 | ¥7.01708 | ¥70.17 |
| 100 | ¥5.234986 | ¥523.50 |
| 500 | ¥4.113611 | ¥2056.81 |
| 1000 | ¥3.178589 | ¥3178.59 |
| 2000 | ¥2.898177 | ¥5796.35 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 29 A
漏源电阻 17.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.35 V
栅极电荷 5.4 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.6 ns
正向跨导(Min) 17 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 9.9 ns
典型接通延迟时间 9 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRFH3707TRPBF SP001551876
单位重量 122.136 mg
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0IRFH3707TRPBF
型号:IRFH3707TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.143613 |
| 10+: | ¥7.01708 |
| 100+: | ¥5.234986 |
| 500+: | ¥4.113611 |
| 1000+: | ¥3.178589 |
| 2000+: | ¥2.898177 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.14