货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥21.999482 | ¥22.00 |
10 | ¥19.67799 | ¥196.78 |
100 | ¥15.338866 | ¥1533.89 |
500 | ¥12.670973 | ¥6335.49 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 7.5 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 24.2 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.6 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25.3 ns
典型接通延迟时间 4.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 112 mg
购物车
0ZXMN6A09GQTA
型号:ZXMN6A09GQTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥21.999482 |
10+: | ¥19.67799 |
100+: | ¥15.338866 |
500+: | ¥12.670973 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥22.00