
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥25.224067 | ¥25.22 |
| 10 | ¥22.562301 | ¥225.62 |
| 100 | ¥17.587167 | ¥1758.72 |
| 500 | ¥14.528227 | ¥7264.11 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 7.5 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 24.2 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.6 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25.3 ns
典型接通延迟时间 4.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 112 mg
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0ZXMN6A09GQTA
型号:ZXMN6A09GQTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥25.224067 |
| 10+: | ¥22.562301 |
| 100+: | ¥17.587167 |
| 500+: | ¥14.528227 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥25.22