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起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥1.628183 | ¥4884.55 |
| 6000 | ¥1.51595 | ¥9095.70 |
| 15000 | ¥1.459776 | ¥21896.64 |
| 30000 | ¥1.403659 | ¥42109.77 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.3 A
漏源电阻 200 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 5.8 nC
耗散功率 1.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19.2 ns
正向跨导(Min) 1.5 S
上升时间 15.4 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 4.1 ns
高度 1.3 mm
长度 3.1 mm
宽度 1.8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 15 mg
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0ZXM62P02E6TA
型号:ZXM62P02E6TA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥1.628183 |
| 6000+: | ¥1.51595 |
| 15000+: | ¥1.459776 |
| 30000+: | ¥1.403659 |
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