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起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥1.991282 | ¥5973.85 |
6000 | ¥1.854019 | ¥11124.11 |
15000 | ¥1.785318 | ¥26779.77 |
30000 | ¥1.716686 | ¥51500.58 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.3 A
漏源电阻 200 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 5.8 nC
耗散功率 1.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19.2 ns
正向跨导(Min) 1.5 S
上升时间 15.4 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 4.1 ns
高度 1.3 mm
长度 3.1 mm
宽度 1.8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 15 mg
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0ZXM62P02E6TA
型号:ZXM62P02E6TA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.991282 |
6000+: | ¥1.854019 |
15000+: | ¥1.785318 |
30000+: | ¥1.716686 |
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