IRFR3518TRPBF
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- 制造商编号：
- IRFR3518TRPBF
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 80V 38A DPAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：1000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥16.433852 | ￥16.43 |
| 10 | ￥14.662963 | ￥146.63 |
| 25 | ￥13.923439 | ￥348.09 |
| 100 | ￥10.442579 | ￥1044.26 |
| 250 | ￥10.343126 | ￥2585.78 |
| 500 | ￥8.851328 | ￥4425.66 |
| 1000 | ￥7.210352 | ￥7210.35 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IRFR3518TRPBF
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 80V 38A DPAK
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
HEXFET®
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
38A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
29mOhm @ 18A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
56nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1710pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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注
IRFR3518TRPBF品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IRFR3518TRPBF
数据手册PDF。
IRFR3518TRPBF
型号：IRFR3518TRPBF
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥16.433852 |
| 10+： | ￥14.662963 |
| 25+： | ￥13.923439 |
| 100+： | ￥10.442579 |
| 250+： | ￥10.343126 |
| 500+： | ￥8.851328 |
| 1000+： | ￥7.210352 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥16.43