货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥49.967482 | ¥49.97 |
10 | ¥41.93032 | ¥419.30 |
100 | ¥33.918077 | ¥3391.81 |
500 | ¥30.149706 | ¥15074.85 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 43 nC
耗散功率 139 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB60R199CP SP000223256
单位重量 4 g
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0IPB60R199CPATMA1
型号:IPB60R199CPATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥49.967482 |
10+: | ¥41.93032 |
100+: | ¥33.918077 |
500+: | ¥30.149706 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥49.97