货期:国内(1~3工作日)
起订量:250
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
250 | ¥5.05987 | ¥1264.97 |
500 | ¥4.329964 | ¥2164.98 |
1250 | ¥3.527227 | ¥4409.03 |
2500 | ¥3.320485 | ¥8301.21 |
6250 | ¥3.162347 | ¥19764.67 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 76 A
漏源电阻 300 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.15 V
栅极电荷 9.7 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 59 S
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 27.800 mg
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0CSD25402Q3AT
型号:CSD25402Q3AT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
250+: | ¥5.05987 |
500+: | ¥4.329964 |
1250+: | ¥3.527227 |
2500+: | ¥3.320485 |
6250+: | ¥3.162347 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00