货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥8.921407 | ¥8.92 |
10 | ¥7.827048 | ¥78.27 |
100 | ¥6.003514 | ¥600.35 |
500 | ¥4.74619 | ¥2373.10 |
1000 | ¥3.796951 | ¥3796.95 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.3 A
漏源电阻 200 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 5.8 nC
耗散功率 1.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19.2 ns
正向跨导(Min) 1.5 S
上升时间 15.4 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 4.1 ns
高度 1.3 mm
长度 3.1 mm
宽度 1.8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 15 mg
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0ZXM62P02E6TA
型号:ZXM62P02E6TA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥8.921407 |
10+: | ¥7.827048 |
100+: | ¥6.003514 |
500+: | ¥4.74619 |
1000+: | ¥3.796951 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.92