货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥51.483519 | ¥51.48 |
10 | ¥46.256511 | ¥462.57 |
100 | ¥37.898305 | ¥3789.83 |
500 | ¥32.391714 | ¥16195.86 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 20.7 A
漏源电阻 190 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 87 nC
耗散功率 208 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.5 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 67 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SPP20N60C3 SP000681058
单位重量 2 g
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0SPP20N60C3XKSA1
型号:SPP20N60C3XKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥51.483519 |
10+: | ¥46.256511 |
100+: | ¥37.898305 |
500+: | ¥32.391714 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥51.48