货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.62905 | ¥6.63 |
10 | ¥5.705718 | ¥57.06 |
100 | ¥4.261532 | ¥426.15 |
500 | ¥3.348382 | ¥1674.19 |
1000 | ¥2.587343 | ¥2587.34 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 21 A
漏源电阻 5.38 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 36 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 65 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
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0SIRA14BDP-T1-GE3
型号:SIRA14BDP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.62905 |
10+: | ¥5.705718 |
100+: | ¥4.261532 |
500+: | ¥3.348382 |
1000+: | ¥2.587343 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.63