货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥4.848359 | ¥4.85 |
10 | ¥4.22333 | ¥42.23 |
100 | ¥2.923035 | ¥292.30 |
500 | ¥2.442405 | ¥1221.20 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 4.7 A
漏源电阻 1 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 6 nC
耗散功率 26 W
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPS60R1K0PFD7S SP003493708
单位重量 340 mg
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0IPS60R1K0PFD7SAKMA1
型号:IPS60R1K0PFD7SAKMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.848359 |
10+: | ¥4.22333 |
100+: | ¥2.923035 |
500+: | ¥2.442405 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥4.85