货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.455963 | ¥1367.89 |
6000 | ¥0.417589 | ¥2505.53 |
15000 | ¥0.36116 | ¥5417.40 |
30000 | ¥0.354367 | ¥10631.01 |
75000 | ¥0.293408 | ¥22005.60 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 300 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 -
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0DMN601WKQ-7
型号:DMN601WKQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.455963 |
6000+: | ¥0.417589 |
15000+: | ¥0.36116 |
30000+: | ¥0.354367 |
75000+: | ¥0.293408 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00