货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.065969 | ¥5.07 |
10 | ¥3.743875 | ¥37.44 |
25 | ¥3.276817 | ¥81.92 |
100 | ¥1.778032 | ¥177.80 |
250 | ¥1.769382 | ¥442.35 |
500 | ¥1.450844 | ¥725.42 |
1000 | ¥1.076458 | ¥1076.46 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 300 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 -
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0DMN601WKQ-7
型号:DMN601WKQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.065969 |
10+: | ¥3.743875 |
25+: | ¥3.276817 |
100+: | ¥1.778032 |
250+: | ¥1.769382 |
500+: | ¥1.450844 |
1000+: | ¥1.076458 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.07