
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥48.862067 | ¥48.86 |
| 10 | ¥41.089856 | ¥410.90 |
| 100 | ¥33.236209 | ¥3323.62 |
| 500 | ¥29.543551 | ¥14771.78 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 26 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 36 nC
耗散功率 95 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 81 ns
典型接通延迟时间 21 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB60R120P7 SP001664922
单位重量 4 g
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0IPB60R120P7ATMA1
型号:IPB60R120P7ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥48.862067 |
| 10+: | ¥41.089856 |
| 100+: | ¥33.236209 |
| 500+: | ¥29.543551 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥48.86