货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 300 A
漏源电阻 570 uOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 296 nC
耗散功率 429 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 52 ns
上升时间 82 ns
典型关闭延迟时间 106 ns
典型接通延迟时间 54 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 1.169 g
购物车
0NVBLS0D5N04M8TXG
型号:NVBLS0D5N04M8TXG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00