货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥16.65759 | ¥16.66 |
50 | ¥13.403952 | ¥670.20 |
100 | ¥11.027902 | ¥1102.79 |
500 | ¥9.331424 | ¥4665.71 |
1000 | ¥7.917548 | ¥7917.55 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 6.2 A
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 60 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 15.49 mm
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFBC40PBF-BE3
单位重量 2 g
购物车
0IRFBC40PBF
型号:IRFBC40PBF
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥16.65759 |
50+: | ¥13.403952 |
100+: | ¥11.027902 |
500+: | ¥9.331424 |
1000+: | ¥7.917548 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥16.66