
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥17.644496 | ¥17.64 |
| 10 | ¥15.771465 | ¥157.71 |
| 100 | ¥12.300928 | ¥1230.09 |
| 500 | ¥10.162145 | ¥5081.07 |
| 1000 | ¥8.022817 | ¥8022.82 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 35.2 nC
耗散功率 3.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 11.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16.5 ns
典型接通延迟时间 6.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
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0DMNH6012LK3Q-13
型号:DMNH6012LK3Q-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥17.644496 |
| 10+: | ¥15.771465 |
| 100+: | ¥12.300928 |
| 500+: | ¥10.162145 |
| 1000+: | ¥8.022817 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥17.64