货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥7.481114 | ¥7.48 |
10 | ¥6.433758 | ¥64.34 |
100 | ¥4.46872 | ¥446.87 |
500 | ¥3.489442 | ¥1744.72 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 1.4 A
漏源电阻 900 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 2.9 nC
耗散功率 2.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.1 ns
正向跨导(Min) 1.6 S
上升时间 1.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 4.1 ns
典型接通延迟时间 1.8 ns
高度 1.6 mm
长度 4.6 mm
宽度 2.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 52 mg
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0ZXMN10A07ZTA
型号:ZXMN10A07ZTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.481114 |
10+: | ¥6.433758 |
100+: | ¥4.46872 |
500+: | ¥3.489442 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.48