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| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ : 需询价 | ||
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 245 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 26.5 nC
耗散功率 85 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
上升时间 40 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 29 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RCJ100N25
单位重量 4 g
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0RCJ100N25TL
型号:RCJ100N25TL
品牌:ROHM
供货:锐单
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