货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥9.474766 | ¥9.47 |
10 | ¥8.203153 | ¥82.03 |
100 | ¥5.683613 | ¥568.36 |
500 | ¥4.748603 | ¥2374.30 |
1000 | ¥4.041361 | ¥4041.36 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 1.9 A
漏源电阻 230 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 9.2 nC
耗散功率 1.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.1 ns
上升时间 2.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12.1 ns
典型接通延迟时间 2.9 ns
高度 1.3 mm
长度 3.1 mm
宽度 1.8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 15 mg
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0ZXMN10B08E6TA
型号:ZXMN10B08E6TA
品牌:DIODES
供货:锐单
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1+: | ¥9.474766 |
10+: | ¥8.203153 |
100+: | ¥5.683613 |
500+: | ¥4.748603 |
1000+: | ¥4.041361 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.47