货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥2.013012 | ¥6039.04 |
6000 | ¥1.917168 | ¥11503.01 |
9000 | ¥1.828684 | ¥16458.16 |
30000 | ¥1.825179 | ¥54755.37 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 31 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 120 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 50 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 90 ns
典型接通延迟时间 10 ns
开发套件 -
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ1E050RP
单位重量 10 mg
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0RQ1E050RPTR
型号:RQ1E050RPTR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥2.013012 |
6000+: | ¥1.917168 |
9000+: | ¥1.828684 |
30000+: | ¥1.825179 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00