货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥2.480895 | ¥7442.68 |
6000 | ¥2.362775 | ¥14176.65 |
9000 | ¥2.253724 | ¥20283.52 |
30000 | ¥2.249404 | ¥67482.12 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 31 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 120 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 50 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 90 ns
典型接通延迟时间 10 ns
开发套件 -
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ1E050RP
单位重量 10 mg
购物车
0RQ1E050RPTR
型号:RQ1E050RPTR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥2.480895 |
6000+: | ¥2.362775 |
9000+: | ¥2.253724 |
30000+: | ¥2.249404 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00