
货期:(7~10天)
起订量:21
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 21 | ¥9.387447 | ¥197.14 |
| 50 | ¥9.011968 | ¥450.60 |
| 100 | ¥8.63649 | ¥863.65 |
| 300 | ¥8.261012 | ¥2478.30 |
| 500 | ¥7.885535 | ¥3942.77 |
| 1000 | ¥7.509891 | ¥7509.89 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 65 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.6 ns
正向跨导(Min) 206 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 9 ns
高度 0.83 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRFH5010TRPBF SP001560282
单位重量 122.136 mg
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0IRFH5010TRPBF
型号:IRFH5010TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 21+: | ¥9.387447 |
| 50+: | ¥9.011968 |
| 100+: | ¥8.63649 |
| 300+: | ¥8.261012 |
| 500+: | ¥7.885535 |
| 1000+: | ¥7.509891 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00