SQD25N06-22L_T4GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SQD25N06-22L_T4GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA
- 渠道：
- digikey
库存 ：2282
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥19.267275 | ￥19.27 |
| 10 | ￥17.241377 | ￥172.41 |
| 25 | ￥16.36585 | ￥409.15 |
| 100 | ￥12.272971 | ￥1227.30 |
| 250 | ￥12.155383 | ￥3038.85 |
| 500 | ￥10.402345 | ￥5201.17 |
| 1000 | ￥8.473774 | ￥8473.77 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 18 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 50 nC
耗散功率 62 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导（Min） 32 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 8 ns
外形参数
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
SQD25N06-22L_T4GE3 同类别型号
注
SQD25N06-22L_T4GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SQD25N06-22L_T4GE3
数据手册PDF。
SQD25N06-22L_T4GE3
型号：SQD25N06-22L_T4GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：2282 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥19.267275 |
| 10+： | ￥17.241377 |
| 25+： | ￥16.36585 |
| 100+： | ￥12.272971 |
| 250+： | ￥12.155383 |
| 500+： | ￥10.402345 |
| 1000+： | ￥8.473774 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥19.27