货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥16.804193 | ¥16.80 |
10 | ¥15.03728 | ¥150.37 |
25 | ¥14.273678 | ¥356.84 |
100 | ¥10.704023 | ¥1070.40 |
250 | ¥10.601468 | ¥2650.37 |
500 | ¥9.072534 | ¥4536.27 |
1000 | ¥7.390508 | ¥7390.51 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 18 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 50 nC
耗散功率 62 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 32 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
购物车
0SQD25N06-22L_T4GE3
型号:SQD25N06-22L_T4GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥16.804193 |
10+: | ¥15.03728 |
25+: | ¥14.273678 |
100+: | ¥10.704023 |
250+: | ¥10.601468 |
500+: | ¥9.072534 |
1000+: | ¥7.390508 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥16.80