
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥22.699157 | ¥22.70 |
| 10 | ¥20.333521 | ¥203.34 |
| 100 | ¥15.851123 | ¥1585.11 |
| 500 | ¥13.094406 | ¥6547.20 |
| 1000 | ¥10.337689 | ¥10337.69 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 3.1 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 180 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
正向跨导(Min) 70 S
上升时间 38 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 82 ns
典型接通延迟时间 37 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
购物车
0SI7623DN-T1-GE3
型号:SI7623DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥22.699157 |
| 10+: | ¥20.333521 |
| 100+: | ¥15.851123 |
| 500+: | ¥13.094406 |
| 1000+: | ¥10.337689 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥22.70