
货期: 8周-10周
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.863487 | ¥2590.46 |
| 6000 | ¥0.750858 | ¥4505.15 |
| 15000 | ¥0.63823 | ¥9573.45 |
| 30000 | ¥0.600686 | ¥18020.58 |
| 75000 | ¥0.563145 | ¥42235.88 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
晶体管极性 NPN, PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 50 V, - 50 V
集电极—基极电压 60 V, - 50 V
发射极 - 基极电压 5 V, - 5 V
饱和电压 100 mV, - 100 mV
最大直流电集电极电流 150 mA, - 150 mA
耗散功率 200 mW
增益带宽产品 150 MHz, 120 MHz
直流集电极 120
直流电流增益(Max) 400
技术 Si
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 7.500 mg
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0HN1B01FU-GR,LF
型号:HN1B01FU-GR,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.863487 |
| 6000+: | ¥0.750858 |
| 15000+: | ¥0.63823 |
| 30000+: | ¥0.600686 |
| 75000+: | ¥0.563145 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00