货期:(7~10天)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥4.261193 | ¥12783.58 |
6000 | ¥4.0369 | ¥24221.40 |
9000 | ¥3.737843 | ¥33640.59 |
30000 | ¥3.700834 | ¥111025.02 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 6.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 62.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 52 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 11 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
购物车
0SQS484ENW-T1_GE3
型号:SQS484ENW-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥4.261193 |
6000+: | ¥4.0369 |
9000+: | ¥3.737843 |
30000+: | ¥3.700834 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00