DMT3003LFGQ-13
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- 制造商编号：
- DMT3003LFGQ-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥2.101809 | ￥6305.43 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 3.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 44 nC
耗散功率 62 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 4.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 6.2 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
DMT3003LFGQ-13 同类别型号
注
DMT3003LFGQ-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购DMT3003LFGQ-13、查询DMT3003LFGQ-13代理商；
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替代型号
、DMT3003LFGQ-13
数据手册PDF。
DMT3003LFGQ-13
型号：DMT3003LFGQ-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥2.101809 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00