
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥20.154065 | ¥20.15 |
| 10 | ¥12.637962 | ¥126.38 |
| 100 | ¥8.355603 | ¥835.56 |
| 500 | ¥6.51719 | ¥3258.60 |
| 1000 | ¥5.924992 | ¥5924.99 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 6.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 62.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 52 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 11 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
购物车
0SQS484ENW-T1_GE3
型号:SQS484ENW-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥20.154065 |
| 10+: | ¥12.637962 |
| 100+: | ¥8.355603 |
| 500+: | ¥6.51719 |
| 1000+: | ¥5.924992 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥20.15