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SI7110DN-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI7110DN-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 28.055087 28.06
10 25.249578 252.50
100 20.29673 2029.67
500 16.676323 8338.16
1000 13.817426 13817.43

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 21.1 A

漏源电阻 5.3 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.5 V

栅极电荷 21 nC

耗散功率 3.8 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

外形参数

高度 1.04 mm

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI7110DN-GE3

单位重量 1 g

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SI7110DN-T1-GE3

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型号:SI7110DN-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥28.055087
10+: ¥25.249578
100+: ¥20.29673
500+: ¥16.676323
1000+: ¥13.817426

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