货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥34.74022 | ¥34.74 |
10 | ¥29.151261 | ¥291.51 |
100 | ¥23.581196 | ¥2358.12 |
500 | ¥20.961144 | ¥10480.57 |
1000 | ¥17.947903 | ¥17947.90 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 259 A
漏源电阻 2.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 118 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 307 S
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 16.51 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0CSD19536KCS
型号:CSD19536KCS
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥34.74022 |
10+: | ¥29.151261 |
100+: | ¥23.581196 |
500+: | ¥20.961144 |
1000+: | ¥17.947903 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥34.74