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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 330 A
漏源电阻 820 uOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 66 nC
耗散功率 167 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 177 ns
正向跨导(Min) 190 S
上升时间 130 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 66 ns
典型接通延迟时间 20 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 99.445 mg
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0NTMJS0D9N04CLTWG
型号:NTMJS0D9N04CLTWG
品牌:ON
供货:锐单
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