货期: 8周-10周
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥16.212091 | ¥48636.27 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 250 A
漏源电阻 2.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 41 nC
耗散功率 3.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
正向跨导(Min) 151 S
上升时间 51 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 47 ns
典型接通延迟时间 19 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 99.445 mg
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0NTMJS1D6N06CLTWG
型号:NTMJS1D6N06CLTWG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥16.212091 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00