货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥10.597511 | ¥10.60 |
10 | ¥9.226069 | ¥92.26 |
100 | ¥6.385936 | ¥638.59 |
500 | ¥5.33591 | ¥2667.95 |
1000 | ¥4.541346 | ¥4541.35 |
2000 | ¥4.044635 | ¥8089.27 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 49 A
漏源电阻 9.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.8 ns
正向跨导(Min) 34 S
上升时间 2.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 3.6 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC093N04LS G SP000387929
单位重量 104.400 mg
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0BSC093N04LSGATMA1
型号:BSC093N04LSGATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.597511 |
10+: | ¥9.226069 |
100+: | ¥6.385936 |
500+: | ¥5.33591 |
1000+: | ¥4.541346 |
2000+: | ¥4.044635 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.60