货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.966407 | ¥6.97 |
10 | ¥5.971206 | ¥59.71 |
100 | ¥4.154964 | ¥415.50 |
500 | ¥3.244355 | ¥1622.18 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 3.2 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 3.7 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.1 ns
正向跨导(Min) 6 S
上升时间 2.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 5.6 ns
高度 1.5 mm
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS606N H6327 SP000691152
单位重量 130.500 mg
购物车
0BSS606NH6327XTSA1
型号:BSS606NH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.966407 |
10+: | ¥5.971206 |
100+: | ¥4.154964 |
500+: | ¥3.244355 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.97