IPD04N03LB G
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- 制造商编号：
- IPD04N03LB G
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.69215 | ￥15.69 |
| 10 | ￥12.837908 | ￥128.38 |
| 25 | ￥12.074306 | ￥301.86 |
| 100 | ￥11.239039 | ￥1123.90 |
| 250 | ￥10.859461 | ￥2714.87 |
| 500 | ￥10.555751 | ￥5277.88 |
| 1000 | ￥10.403772 | ￥10403.77 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPD04N03LB G
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
OptiMOS™
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
4.1mOhm @ 50A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 70µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
40nC @ 5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
5200pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
115W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
IPD04N03LB G 同类别型号
注
IPD04N03LB G品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IPD04N03LB G
数据手册PDF
。
IPD04N03LB G
型号：IPD04N03LB G
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥15.69215 |
| 10+： | ￥12.837908 |
| 25+： | ￥12.074306 |
| 100+： | ￥11.239039 |
| 250+： | ￥10.859461 |
| 500+： | ￥10.555751 |
| 1000+： | ￥10.403772 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.69