
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥28.336916 | ¥28.34 |
| 10 | ¥18.078044 | ¥180.78 |
| 100 | ¥12.171236 | ¥1217.12 |
| 500 | ¥9.637886 | ¥4818.94 |
| 1000 | ¥8.905218 | ¥8905.22 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 8.3 A
漏源电阻 18 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 28 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF7853TRPBF SP001554438
单位重量 540 mg
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0IRF7853TRPBF
型号:IRF7853TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥28.336916 |
| 10+: | ¥18.078044 |
| 100+: | ¥12.171236 |
| 500+: | ¥9.637886 |
| 1000+: | ¥8.905218 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥28.34