货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥3.904768 | ¥3.90 |
25 | ¥3.35673 | ¥83.92 |
100 | ¥3.014207 | ¥301.42 |
制造商 Microchip
商标 Microchip Technology
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 30 mA
漏源电阻 1 kOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
耗散功率 740 mW
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 1.3 us
正向跨导(Min) 1 mOhms
上升时间 0.45 us
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 90 ns
高度 5.33 mm
长度 5.21 mm
宽度 4.19 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 453.600 mg
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0LND150N3-G
型号:LND150N3-G
品牌:MICROCHIP
供货:锐单
单价:
1+: | ¥3.904768 |
25+: | ¥3.35673 |
100+: | ¥3.014207 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥3.90