货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥19.184239 | ¥19.18 |
10 | ¥17.184918 | ¥171.85 |
100 | ¥13.396608 | ¥1339.66 |
500 | ¥11.066764 | ¥5533.38 |
1000 | ¥8.736918 | ¥8736.92 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 9.5 A
漏源电阻 21 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 3.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 35 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
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0SI7120ADN-T1-GE3
型号:SI7120ADN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.184239 |
10+: | ¥17.184918 |
100+: | ¥13.396608 |
500+: | ¥11.066764 |
1000+: | ¥8.736918 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥19.18