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起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.19567 | ¥3587.01 |
6000 | ¥1.13488 | ¥6809.28 |
9000 | ¥1.053827 | ¥9484.44 |
30000 | ¥1.029454 | ¥30883.62 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 3.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
上升时间 4.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 31 ns
典型接通延迟时间 3.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0DMN3009LFV-13
型号:DMN3009LFV-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.19567 |
6000+: | ¥1.13488 |
9000+: | ¥1.053827 |
30000+: | ¥1.029454 |
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