货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥7.730432 | ¥7.73 |
10 | ¥6.880085 | ¥68.80 |
100 | ¥5.36492 | ¥536.49 |
500 | ¥4.431787 | ¥2215.89 |
1000 | ¥3.498794 | ¥3498.79 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 600 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 8.5 nC
耗散功率 31 W
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPS60R600PFD7S SP004748880
单位重量 340 mg
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0IPS60R600PFD7SAKMA1
型号:IPS60R600PFD7SAKMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.730432 |
10+: | ¥6.880085 |
100+: | ¥5.36492 |
500+: | ¥4.431787 |
1000+: | ¥3.498794 |
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单价:¥0.00总价:¥7.73