
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.320834 | ¥6.32 |
| 10 | ¥5.625542 | ¥56.26 |
| 100 | ¥4.386659 | ¥438.67 |
| 500 | ¥3.623677 | ¥1811.84 |
| 1000 | ¥2.86081 | ¥2860.81 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 600 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 8.5 nC
耗散功率 31 W
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPS60R600PFD7S SP004748880
单位重量 340 mg
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0IPS60R600PFD7SAKMA1
型号:IPS60R600PFD7SAKMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥6.320834 |
| 10+: | ¥5.625542 |
| 100+: | ¥4.386659 |
| 500+: | ¥3.623677 |
| 1000+: | ¥2.86081 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥6.32