货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥9.59212 | ¥9.59 |
10 | ¥8.447999 | ¥84.48 |
100 | ¥6.47757 | ¥647.76 |
500 | ¥5.120806 | ¥2560.40 |
1000 | ¥4.096644 | ¥4096.64 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 43 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 5.3 nC
耗散功率 14.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.7 ns
正向跨导(Min) 3.5 S
上升时间 4.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17.4 ns
典型接通延迟时间 7.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ3L050GN
单位重量 219.080 mg
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0RQ3L050GNTB
型号:RQ3L050GNTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥9.59212 |
10+: | ¥8.447999 |
100+: | ¥6.47757 |
500+: | ¥5.120806 |
1000+: | ¥4.096644 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.59