DMN3018SFGQ-7
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- 制造商编号：
- DMN3018SFGQ-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2000 | ￥1.197835 | ￥2395.67 |
| 6000 | ￥1.136867 | ￥6821.20 |
| 10000 | ￥1.055673 | ￥10556.73 |
| 50000 | ￥1.00507 | ￥50253.50 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8.5 A
漏源电阻 21 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 13.2 nC
耗散功率 2.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.1 ns
上升时间 4.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20.1 ns
典型接通延迟时间 4.3 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
DMN3018SFGQ-7 同类别型号
注
DMN3018SFGQ-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购DMN3018SFGQ-7、查询DMN3018SFGQ-7代理商；
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替代型号
、DMN3018SFGQ-7
数据手册PDF。
DMN3018SFGQ-7
型号：DMN3018SFGQ-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2000+： | ￥1.197835 |
| 6000+： | ￥1.136867 |
| 10000+： | ￥1.055673 |
| 50000+： | ￥1.00507 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00