
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥14.092691 | ¥14.09 |
| 10 | ¥8.804144 | ¥88.04 |
| 100 | ¥5.724967 | ¥572.50 |
| 500 | ¥4.399344 | ¥2199.67 |
| 1000 | ¥3.972017 | ¥3972.02 |
| 2000 | ¥3.612428 | ¥7224.86 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 49 A
漏源电阻 9.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.8 ns
正向跨导(Min) 34 S
上升时间 2.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 3.6 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC093N04LS G SP000387929
单位重量 104.400 mg
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0BSC093N04LSGATMA1
型号:BSC093N04LSGATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥14.092691 |
| 10+: | ¥8.804144 |
| 100+: | ¥5.724967 |
| 500+: | ¥4.399344 |
| 1000+: | ¥3.972017 |
| 2000+: | ¥3.612428 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.09